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mosfet

簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

在電子工程世界為您找到如下關于“mosfet”的新聞

技術文章—mosfet管的安全工作區
我們知道開關電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關器件長期工作于高電壓大電流狀態,承受著很大的功耗,一但過壓或過流就會導致功耗大增,晶圓結溫急劇上升,如果散熱不及時,就會導致器件損壞,甚至可能會伴隨爆炸,非常危險。這里就衍生一個概念,安全工作區。一、什么是安全工作區?安全工作區:SOA(Safe operating area)是由一系列(電壓,電流...
類別:分立器件 2019-02-18 標簽: MOSFET
Vishay新款2.5 A IGBT和mosfet驅動器,讓工作效率更上一層樓
器件最高輸出電流2.5 A,適用于電機驅動、可替代能源和其他高工作電壓的應用 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅動器---VOD3120A,擴展其光電產品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝,低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA...
類別:驅動 2019-02-15 標簽: MOSFET Vishay
IDM廠看好mosfet市況
雖然美中貿易戰引發的總體經濟不確定性,對第一季半導體市場造成沖擊,但包括英飛凌(Infineon)、安森美(ON Semi)、威世(Vishay)等國際IDM大廠,在近期召開的法人說明會中不約而同表示,受惠于5G及電動車等新需求明顯成長,對今年金氧半場效晶體管(MOSFET)等功率半導體市況抱持樂觀看法,下半年仍有可能持續供不應求。 此外,晶圓代工廠持續受惠于IDM...
類別:市場動態 2019-02-12 標簽: MOSFET
Vishay最新第四代600V E系列mosfet器件問市
超級結器件降低傳導和開關損耗,提高通信、工業和企業級應用能效日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,為通信、工業和企業級電源應用提供高效解決方案,同時,柵極電荷下降60...
類別:分立器件 2019-01-28 標簽: Vishay MOSFET
ST超結mosfet幫助電橋和ZVS相移轉換器實現更高效能
意法半導體的MDmesh? DM6 600V MOSFET含有一個快速恢復體二極管,將該公司最新的超結(super-junction)技術的性能優勢引入到全橋和半橋拓撲、零電壓開關(ZVS)相移轉換器等通常需要一個穩定可靠的二極管來處理動態dV/dt的應用和拓撲結構里。 MDmesh DM6 MOSFET利用意法半導體先進的載流子壽命控制技術減少反向恢復...
類別:轉換器 2019-01-22 標簽: 意法半導體 MOSFET 電橋
意法半導體最先進的40V功率mosfet可顯著提高汽車安全性
摘要意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 這些機電系統必須符合汽車AEC Q101規范,具體而言,低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。1. 前言EPS和EPB系統均由兩個主要部件組成:電動伺服單元和機械齒輪單元。電動伺服單元...
類別:行業動態 2019-01-21 標簽: 意法半導體 MOSFET EPS EPB
ST40V功率mosfet讓汽車更安全
摘要意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 這些機電系統必須符合汽車AEC Q101規范,具體而言,低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。 1. 前言 EPS和EPB系統均由兩個主要部件組成:電動伺服單元和機械齒輪單元。電動伺服單元將電機...
類別:動力系統 2019-01-21 標簽: ST
Allegro Microsystems推出全新BLDC mosfet驅動器
新產品針對外部微處理器應用可提供完整的模擬系統解決方案  功率器件和傳感器技術的全球領導廠商Allegro MicroSystems(以下簡稱Allegro)宣布推出符合ISO-26262標準的全新N溝道功率MOSFET驅動器AMT49105,新產品能夠簡化電機系統設計,并通過集成所需的功率模擬系統而減少了PCB面積。 AMT49105得益于強大...
類別:驅動 2018-12-24 標簽: Allegro Microsystems
探討1200 V 碳化硅 mosfet的穩固性
碳化硅MOSFET是功率轉換器效率最大化的最佳解決方案嗎? 本文探討了最近在1200 V,80mΩ碳化硅MOSFET上進行的研究,突出了其短路能力。 碳化硅(SiC)MOSFET具有極高的開關損耗,可最大限度地提高功率轉換器的效率。 然而,在確定這些器件是否是用于實際功率轉換應用的實際解決方案時,它們的短路魯棒性一直是討論的主題。 由于相對較小的芯片尺寸...
類別:轉換器 2018-12-21 標簽: MOSFET
集微網消息,晶圓代工廠茂硅現金增資案順利完成,成功募得8.61億元新臺幣,主要用于擴產以及償還銀行借款。茂硅大股東朋程也公布認購茂硅現金增資8925張,斥資近1.83億元新臺幣。受惠金氧半場效電晶體(MOSFET)供不應求,茂硅今年持續接單滿載,公司辦理現金增資案,以因應購置機器設備以進行擴產,預計新產能自2020年開出,將貢獻當年2.85億元新臺幣營收。茂硅此次現增發行新股...
類別:綜合資訊 2018-12-15 標簽: MOSFET 茂硅

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MOSFET驅動AN799MOSFET 驅動器與 MOSFET 的匹配設計作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驅動器吸收靜態電流而產生的功 耗。簡介當今多種 MOSFET 技術和硅片制程并存,而且技術進 步日新月異。要根據 MOSFET 的電壓 / 電流或管芯尺 寸, 對如何將 MOSFET...
類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: MOSFET 驅動
MOSFET的基礎知識:2.功率MOSFET 的結構和工作原理:功率MOSFET的種類:按導電溝道可分為P 溝道和N 溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道,增強型;對于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時才存在導電溝道,功率MOSFET 主要是N溝道增強型。2.1 功率MOSFET 的結構功率 MOSFET 的內部結構和電氣符號如圖1 所示;其導通時...
類別:電機 2013年09月20日 標簽: 功率MOSFET
MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field EffectTransistor場效應晶體管),即以金屬層...
類別:電機 2013年09月29日 標簽: MOSFET 的工 作原
選擇正確的MOSFET:工程師所需要知道的選擇正確的MOSFET:工程師所需要知道的作者:飛兆半導體公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez隨著制造技術的發展和進步,系統設計人員必須跟上技術的發展步伐,才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件,工程師需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇...
類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: 選擇 正確 MOSFET 工程 師所 需要 知道
功率MOSFET的基本知識功率MOSFET的基本知識自 1976 年開發出功率 MOSFET 以來,由于半導體工藝技術的發展,它的性能不斷提高:如高壓功率 MOSFET 其工 作電壓可達 1000V;低導通電阻 MOSFET 其阻值僅 lOm;工作頻率范圍從直流到達數兆赫;保護措施越來越完善;并開 發出各種貼片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: 功率 MOSFET 的基 本知
功率場效 應晶體管MOSFET 功率場效應晶體管MOSFET 摘要:文中闡述了MOSFET的結構、工作原理、靜態、動態特性,并對動態特性的改進進行了論述,簡介了MOSFET的驅動電路及其發展動態。 關鍵詞:MOSFET 結構 特性 驅動電路 發展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
類別:模擬及混合電路 2013年06月18日 標簽: MOSFET
能同時滿足高、低b值的晶體管工作要求的設計方案8.2.6驅動效率8.3貝克(baker)鉗位8.3.1baker鉗位的工作原理8.3.2使用變壓器耦合的baker鉗位電路8.3.3變壓器型baker鉗位[5]8.3.4達林頓管(darlington)內部的baker鉗位電路8.3.5比例基極驅動[2~4]8.3.6其他類型的基極驅動電路參考文獻第9章大功率場效應管(mosfet)及其驅動電路9.1...
類別:開關電源 2013年06月18日 標簽: 開關電源設計
MOSFET開關過程理解 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法:基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程,并詳細闡述了其開關過程。開關過程中,功率MOSFET動態的經過是關斷區、恒流區和可變電阻區的過程。在跨越恒流區時,功率MOSFET漏極的電流和柵極電壓以跨導為正比例系列,線性增加。米勒平臺區對應著最大的負載...
類別:電機 2013年06月08日 標簽: MOSFET開關過程理解
P-MOSFET的開關實例在上電過程中,I/O供電電源經過MOSFET管連接到外部電源上,外部電源通過DC/DC模塊變換后作為內核電源。只有當內核電源的穩定狀態輸出引腳輸出低電平時,才會接通外部I/O電源,保證了內核先于I/O供電。  在掉電過程中,由于外部供電線路中某些容性器件的存在,外部電源電壓由正常值到0狀態會有一個過程。因此,當外部電源降低到DC/DC...
類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: PMOSFET 的開 關實
0922MOSFETMOSFET驅動電路總結在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優秀的,作為正式的產品設計也是不允許的。???下面是我對MOSFETMOSFET驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料,非全部原創。包括...
類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: MOSFET及MOSFET驅動電路總結

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FET是電壓控制器件. 按結構場效應管分為:結型場效應(簡稱JFET)、絕緣柵場效應(簡稱MOSFET)兩大類 按溝道材料:結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種. 按導電方式:耗盡型與增強型,結型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。 總的來說場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管,而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型...
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